Принцип работы полупроводникового прибора с двумя выходами (например, полупроводникового диода) основан на свойствах p-n-перехода. 23
Если положительный полюс источника электроэнергии соединён с p-областью диода, а отрицательный — с n-областью, то электрическое поле источника ослабляет действие пространственных зарядов — снижает потенциальный барьер диода, вследствие чего резко возрастает диффузия и вместе с ней ток через p-n-переход. 2
При обратном включении диода, когда с p-областью соединён минус источника напряжения, а с n-областью — плюс этого источника, внешнее поле усиливает поле пространственных зарядов и удаляет носители заряда с обеих сторон перехода. 2 Через p-n-переход создаётся в этом случае лишь весьма малый ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда. 2
Также существует полупроводниковый прибор с тремя выходами — биполярный транзистор. 14 В нём при подведении к эмиттеру и базе напряжения между ними возникает разность потенциалов и начинает протекать ток, а в пропорциональном его количеству в базе образуются носители заряда. 4 Если напряжение подвести к эмиттеру и коллектору, между ними также появляется разность потенциалов, сопровождаемая токопроводимостью. 4 Её величина прямо пропорциональна количеству образовавшихся в базе носителей заряда. 4