Как происходит процесс легирования полупроводников примесями?

Легирование полупроводников подразумевает дозированное введение в них примесей и структурных дефектов с целью изменения электрофизических свойств. portal.tpu.ru

Обычно легирование происходит в процессе выращивания монокристаллов и эпитаксиальных структур. bigenc.ru portal.tpu.ru Нужное количество примеси вводят в расплав, раствор или газовую фазу. bigenc.ru portal.tpu.ru

Некоторые способы легирования:

• Высокотемпературная диффузия. lk.msu.ru Легирующая примесь приводится в соприкосновение с поверхностью монокристалла. lk.msu.ru Монокристалл разогревается, и атомы примеси проникают внутрь монокристалла, замещая атомы кремния в решётке. lk.msu.ru
• Ионная имплантация. lk.msu.ru ru.ruwiki.ru Процесс введения примесных атомов в твёрдое тело путём бомбардировки его поверхности ускоренными ионами. lk.msu.ru Позволяет вводить практически любую примесь и управлять её концентрацией и профилем распределения. bigenc.ru
• Радиационно-стимулированная диффузия. lk.msu.ru Бомбардировка кристалла лёгкими ионами, энергия которых передаётся атомам подложки. lk.msu.ru Вследствие этого наблюдается смещение атомов в междоузельное пространство и образуются вакансии. lk.msu.ru
• Нейтронно-трансмутационное легирование. ru.ruwiki.ru При этом методе легирующие примеси не вводятся в полупроводник, а образуются из атомов исходного вещества в результате ядерных реакций, вызванных облучением исходного вещества нейтронами. ru.ruwiki.ru
• Лазерный отжиг. lk.msu.ru В процессе легирования лазерное излучение используется как для непосредственного селективного легирования, так и для отжига пластин после проведения ионной имплантации, а также диффузии, эпитаксиального наращивания и т. д.. lk.msu.ru

Электрические свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых примесей. bigenc.ru