Диффузия основных носителей заряда в p–n-переходе при смещении происходит следующим образом:

1. При прямом смещении, когда положительный потенциал подан на p-область, дырки устремляются навстречу электронам, которые, преодолевая пониженный потенциальный барьер в области p–n-перехода, попадают в p-область. 3 При этом происходит рекомбинация электронов и дырок. 3
2. При обратном смещении p–n-перехода основные носители заряда оттягиваются от p–n-перехода, высота потенциального барьера для них повышается, поэтому основные носители заряда не участвуют в создании электрического тока. 3 Ток образуется неосновными носителями, концентрация которых гораздо меньше. 3

Таким образом, при прямом смещении с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер. 1 После прохождения p–n-перехода эти носители становятся неосновными и их концентрация по обе стороны p–n-перехода увеличивается. 1 При обратном смещении диффузия основных носителей через p–n-переход становится пренебрежимо малой, так как потенциальный барьер повышается. 1