Как происходит диффузия основных носителей заряда в p-n-переходе при смещении?

Диффузия основных носителей заряда в p–n-переходе при смещении происходит следующим образом:

1. При прямом смещении, когда положительный потенциал подан на p-область, дырки устремляются навстречу электронам, которые, преодолевая пониженный потенциальный барьер в области p–n-перехода, попадают в p-область. otvet.mail.ru При этом происходит рекомбинация электронов и дырок. otvet.mail.ru
2. При обратном смещении p–n-перехода основные носители заряда оттягиваются от p–n-перехода, высота потенциального барьера для них повышается, поэтому основные носители заряда не участвуют в создании электрического тока. otvet.mail.ru Ток образуется неосновными носителями, концентрация которых гораздо меньше. otvet.mail.ru

Таким образом, при прямом смещении с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер. bigenc.ru После прохождения p–n-перехода эти носители становятся неосновными и их концентрация по обе стороны p–n-перехода увеличивается. bigenc.ru При обратном смещении диффузия основных носителей через p–n-переход становится пренебрежимо малой, так как потенциальный барьер повышается. bigenc.ru