Диффузия дырок из эмиттера в базу полупроводникового транзистора происходит вследствие огромного градиента концентраций дырок между эмиттером и базой. 4

Процесс начинается, когда к переходу база — эмиттер прикладывают прямое смещение. 1 При этом понижается потенциальный барьер p-n-перехода, и основные носители эмиттера (электроны) легко преодолевают его и инжектируются в область базы за счёт энергии, полученной от внешнего поля. 1

В области базы происходит процесс рекомбинации: небольшая часть инжектируемых носителей захватывается основными носителями базы — дырками, образуя ток базы. 1 Однако из-за того, что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, большая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора, так как время рекомбинации относительно велико. 3