Принцип действия полупроводниковых приборов связан с физическими процессами в полупроводниках через электронно-дырочный переход (p-n-переход). 34 Это переходный слой между двумя областями полупроводника с различным типом проводимости, в котором существует внутреннее электрическое поле. 4

В полупроводнике постоянно происходят процессы генерации электронно-дырочных пар и их рекомбинации. 4 Среднее время между актом генерации и рекомбинации пар называется временем жизни носителей заряда. 4 Оба этих процесса оказывают влияние на ток, протекающий через p-n-переход. 4

Например, в фоторезисторах поток фотонов, падающих на полупроводник, вызывает появление пар электрон-дырка, увеличивающих проводимость (уменьшающих сопротивление). 3 Это явление называется внутренним фотоэффектом (эффектом фотопроводимости). 3