Примесные полупроводники влияют на электрические свойства следующим образом: примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введённых в них легирующих примесей. 2

Донорные примеси добавляют свободные электроны примесного происхождения к собственным свободным электронам, поэтому электропроводность полупроводника становится преимущественно электронной. 3 Такие примесные полупроводники называются электронными (донорными) полупроводниками или полупроводниками n-типа. 3 В отличие от собственных полупроводников, образование свободных электронов, обусловленное донорными примесями, не сопровождается образованием дырок, поэтому в полупроводниках n-типа основными носителями заряда являются электроны, а неосновными носителями заряда — дырки. 3

Акцепторные примеси создают примесную дырочную электропроводность. 5 Атомы примеси отнимают электроны у атомов полупроводника, образуя с ними ковалентные связи в кристаллической решётке. 5 Однако связь остаётся незаполненной, недостающий электрон отбирается у соседнего атома кристаллической решётки. 5 В результате на месте заимствованного электрона образуется дырка, а сам атом превращается в отрицательный ион. 5 Полупроводники с преобладанием дырочной электропроводности называют полупроводниками p-типа. 5

Введение примесей в полупроводники нарушает строение кристаллической решётки и затрудняет движение электронов. 2 Однако сопротивление не увеличивается из-за того, что увеличение концентрации носителей зарядов значительно уменьшает сопротивление. 2