Метод Чохральского применяется при выращивании монокристаллов медленным вытягиванием его из расплава с помощью заранее полученного затравочного кристалла. 4

Затравку закрепляют на водоохлаждаемом стержне, опускают в расплав, а затем медленно вытягивают при непрерывном вращении стержня. 4 Процесс проводят в вакууме или в атмосфере инертного газа в водоохлаждаемой кристаллизационной установке. 4

Некоторые особенности метода Чохральского:

• Отсутствие непосредственного контакта кристалла со стенками тигля. 1 Это позволяет получать ненапряжённые образцы. 1
• Возможность извлечения кристалла на любом этапе выращивания. 1
• Возможность управления геометрической формой кристалла при изменении температуры расплава и скорости вытягивания. 1

Метод Чохральского применяется для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов (германий, кремний, арсенид галлия), металлов (золото, серебро), сплавов и других. 4