Инжекция в полупроводниковых лазерах применяется для создания инверсной населённости. 3 Это необходимое условие для стимулированного когерентного излучения. 3

Инжекция осуществляется через прямосмещённый p-n-переход, образованный вырожденными полупроводниками с разным типом электропроводности. 13 В результате в области, непосредственно примыкающей к переходу, реализуется инверсная заселённость — энергетическое расстояние между квазиуровнями Ферми больше, чем ширина запрещённой зоны. 2

Также инжекция позволяет формировать спектр излучения инжекционного лазера, который зависит от выходной мощности, определяемой плотностью тока через p-n-переход. 1

Таким образом, инжекция является простым и экономичным способом накачки полупроводниковых лазеров. 2