Паразитическая ёмкость p-n-перехода влияет на частотные характеристики полупроводниковых диодов, особенно при использовании на высоких частотах и в импульсных схемах. 2

Ёмкость p-n-перехода состоит из барьерной и диффузионной ёмкостей. 1 Барьерная ёмкость не зависит от частоты во всём диапазоне используемых частот. 1 Диффузионная ёмкость проявляется при протекании через переход прямого тока и по мере увеличения тока может превысить величину барьерной ёмкости. 1

Влияние паразитных ёмкостей важно, например, для импульсных диодов, которые предназначены для работы в высокочастотных и импульсных схемах. 2

Также на основе зависимости барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения работают полупроводниковые диоды-варикапы, которые применяют в схемах перестройки частоты колебательных контуров, деления и умножения частоты и других устройствах. 3