Как паразитическая емкость PN-перехода влияет на частотные характеристики полупроводниковых диодов?

Паразитическая ёмкость p-n-перехода влияет на частотные характеристики полупроводниковых диодов, особенно при использовании на высоких частотах и в импульсных схемах. portal.tpu.ru

Ёмкость p-n-перехода состоит из барьерной и диффузионной ёмкостей. repo.ssau.ru Барьерная ёмкость не зависит от частоты во всём диапазоне используемых частот. repo.ssau.ru Диффузионная ёмкость проявляется при протекании через переход прямого тока и по мере увеличения тока может превысить величину барьерной ёмкости. repo.ssau.ru

Влияние паразитных ёмкостей важно, например, для импульсных диодов, которые предназначены для работы в высокочастотных и импульсных схемах. portal.tpu.ru

Также на основе зависимости барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения работают полупроводниковые диоды-варикапы, которые применяют в схемах перестройки частоты колебательных контуров, деления и умножения частоты и других устройствах. www.mai-trt.ru