Как можно определить ширину запрещённой зоны полупроводника с помощью эксперимента?

Для определения ширины запрещённой зоны полупроводника с помощью эксперимента используют электрические, оптические и фотоэлектрические методы. 4

В электрических методах регистрируют изменения электрических величин (проводимости, постоянной Холла, ёмкости и других) при изменении температуры полупроводника. 4 Затем находят вид температурной зависимости концентрации электронов и дырок и вычисляют ширину запрещённой зоны. 4

Один из способов — измерение сопротивления полупроводника в зависимости от температуры в определённом интервале. 3 Затем строят график зависимости lnR = f(1/Т). 3 По наклону полученной прямой можно определить ширину запрещённой зоны. 3

В оптических методах измеряют изменение проводимости полупроводника при его освещении оптическим излучением с изменяемой длиной волны. 1 Выделяют область собственного поглощения полупроводника. 1 Поглощение света прекратится, когда энергия кванта света будет меньше энергии ионизации атома в кристалле (ширины запрещённой зоны). 1

Чтобы правильно определить ширину запрещённой зоны, нужно провести измерения в широком диапазоне температур и выбрать участок, где зависимость сопротивления от 1/T имеет экспоненциальный характер. 25