При легировании проводимость полупроводника меняется следующим образом:

• n-тип. 9 Добавляются донорные примеси, например, фосфор или мышьяк. 9 Эти атомы имеют больше валентных электронов, чем атомы самого полупроводника (например, кремния). 9 Лишние электроны, не связанные в кристаллической решётке, становятся свободными носителями заряда, увеличивая проводимость. 9
• p-тип. 9 Вводятся акцепторные примеси, например, бор или галлий. 9 Эти атомы имеют меньше валентных электронов. 9 В кристаллической решётке образуются «дырки» — места, где не хватает электронов. 9 Это увеличивает количество дырок, готовых к перемещению, и проводимость полупроводника также возрастает. 9

При изменении температуры проводимость полупроводника также меняется:

• При повышении температуры электропроводность увеличивается. 49 Это связано с тем, что тепловая энергия «выбивает» электроны из связей, делая их свободными носителями заряда. 9
• При понижении температуры электропроводность уменьшается, так как уменьшается число электронов, переходящих в зону проводимости. 8