Как изменяется проводимость полупроводника при обратном смещении p-n перехода?

При обратном смещении p-n-перехода проводимость полупроводника уменьшается. 2

Это объясняется тем, что основные носители заряда оттягиваются от перехода, высота потенциального барьера для них повышается. 2 В результате диффузия основных носителей через p-n-переход становится пренебрежимо малой. 1

Ток образуется неосновными носителями, концентрация которых гораздо меньше. 2 Поэтому ток, протекающий при обратном смещении, гораздо меньше тока при прямом смещении. 2

Кроме того, повышение потенциального барьера при обратном смещении означает увеличение разности потенциалов между n- и р-областями полупроводника и, следовательно, увеличение их объёмных зарядов. 1 Поскольку объёмные заряды неподвижны и связаны с кристаллической решёткой ионами доноров и акцепторов, то увеличение объёмного заряда может быть обусловлено только расширением его области и, следовательно, уменьшением ёмкости p-n-перехода. 1