Изменение освещённости влияет на фотопроводимость полупроводников, так как скорость фотогенерации (образования носителей заряда) пропорциональна освещённости полупроводника. 3
Если генерация носителей тока преобладает над рекомбинацией, то число носителей в полупроводнике возрастает (обычно сразу за включением освещения). 3 Если подавляющим является процесс рекомбинации (после выключения света), то число носителей в полупроводнике уменьшается. 3
Однако при больших освещённостях увеличение фототока отстаёт от роста светового потока, намечается тенденция к насыщению. 2 Это объясняется тем, что при увеличении светового потока наряду с ростом концентрации генерируемых носителей заряда растёт вероятность их рекомбинации. 2
Закономерности возрастания фототока от освещённости различны у различных фоторезисторов и определяются концентрацией тех или иных примесей в полупроводнике и распределением примесных уровней по запрещённой зоне энергетической диаграммы полупроводника. 1