Допирование (легирование) позволяет модулировать электрические, оптические и структурные свойства полупроводниковых материалов. en.wikipedia.org
В зависимости от типа примеси и её количества допирование может по-разному влиять на свойства полупроводника: vk.com en.wikipedia.org
- Для материалов N-типа (например, при добавлении мышьяка к чистому кремнию) появляются дополнительные свободные электроны, которые могут свободно перемещаться по кристаллической структуре. post.nghiatu.com Материал N-типа становится хорошим проводником электричества. post.nghiatu.com
- Для материалов P-типа (например, при добавлении индия или галлия к чистому кремнию) образуется больше дырок, чем электронно-дырочных пар в чистом кремнии. post.nghiatu.com Материал P-типа переходит в проводимость при приложенной энергии всего 0,05 эВ. post.nghiatu.com
- Очень сильно легированные полупроводники (вырожденные) имеют уровни проводимости, сравнимые с металлами, и часто используются в интегральных схемах в качестве замены металла. en.wikipedia.org
Таким образом, допирование позволяет управлять электронными свойствами полупроводниковых материалов путём соответствующего выбора типа примеси. cyberleninka.ru