Как диффузия и электрическое поле влияют на взаимодействие между полупроводниками P- и N-типа?

Диффузия и электрическое поле влияют на взаимодействие между полупроводниками P- и N-типа следующим образом:

Диффузия приводит к тому, что основные носители заряда (электроны и дырки) хаотично перетекают из той области, где их больше, в ту область, где их меньше, и рекомбинируют друг с другом. ru.wikipedia.org ru.ruwiki.ru В результате вблизи границы между областями практически не будет свободных (подвижных) основных носителей заряда, но останутся ионы примесей с некомпенсированными зарядами. ru.wikipedia.org

Электрическое поле препятствует дальнейшей диффузии через переход основных носителей заряда, создавая потенциальный барьер. study.urfu.ru media.fdo.tusur.ru Это, в свою очередь, препятствует выравниванию концентраций носителей по объёму кристалла. study.urfu.ru

Однако электрическое поле способствует переходу неосновных носителей в соседнюю область: электронов — в n-область, дырок — в p-область. study.urfu.ru

В итоге наступает динамическое равновесие, при котором количество переходящих за счёт диффузии носителей будет компенсироваться равным количеством того же типа носителей, перемещаемых под действием внутреннего электрического поля. lib.kgeu.ru

Таким образом, противоборство электрического поля и диффузии образует p-n-переход. habr.com