Дефекты кристаллической решётки влияют на электрические и оптические свойства кристаллов следующим образом:

В электрических свойствах дефекты искажают регулярное распределение электрических зарядов кристаллической решётки, что приводит к изменению, например, электропроводности. 1 К искажению зарядового состояния может привести возникновение вакансии (удаление положительного или отрицательного иона), появление междоузельного атома или атома замещения с другой валентностью. 1 Перераспределение зарядов вызывают и дислокации, деформируя кристалл. 1 При двойниковании, если расстояния между соседними атомами изменяются, возникают электростатические силы отталкивания, тоже приводящие к деформации решётки и изменению её зарядового состояния. 1 В полупроводниках наличие примеси формирует так называемую примесную проводимость, при которой образуются дополнительные энергетические уровни. 1

В оптических свойствах дефекты влияют на оптическое поглощение и пропускание света. 3 Например, дефекты структуры кварца (дислокации, примеси ионов OH⎯) в несколько раз меняют добротность элементов стабилизации радиочастот и ухудшают оптическое пропускание в инфракрасной области. 3