Барьерная ёмкость p-n-перехода влияет на работу полупроводниковых устройств следующим образом: при изменении запирающего напряжения меняется толщина p-n перехода, а следовательно, и его ёмкость. 1 Величина барьерной ёмкости пропорциональна площади p-n перехода, концентрации носителей заряда и диэлектрической проницаемости материала полупроводника. 1

Например, при малом обратном напряжении толщина p-n перехода мала, носители зарядов противоположных знаков находятся на небольшом расстоянии друг от друга. 1 При этом собственная ёмкость p-n перехода велика. 1 В случае увеличения обратного напряжения толщина p-n перехода растёт и ёмкость p-n перехода уменьшается. 1

Зависимость барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения положена в основу действия полупроводниковых диодов, называемых варикапами. 2 Такие диоды применяют в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательных контуров, деления и умножения частоты, в устройствах обработки радиосигналов при частотной модуляции и в параметрических усилителях и генераторах. 2