Тепловой пробой в полупроводниковых приборах — это необратимый вид пробоя p-n-перехода, являющийся следствием увеличения обратного напряжения. 24

Механизм возникновения связан с тем, что при прохождении обратного тока в p-n-переходе выделяется определённое количество тепла. 1 Если не обеспечен отвод этого тепла, область p-n-перехода нагревается до такой степени, что возникает определённое количество электронно-дырочных пар под действием тепловой энергии решётки. 1 Возникновение дополнительных свободных носителей приводит к росту обратного тока. 1 С ростом тока температура p-n-перехода повышается, что приводит к увеличению концентрации носителей заряда и росту обратного тока. 1 Это ещё больше увеличивает количество выделяемого тепла, и так далее. 1 Такой процесс может привести к тепловому пробою. 1

Чтобы избежать теплового пробоя, необходимо отводить избыточное тепло от перехода, например на корпус прибора (диода), или использовать радиатор для рассеивания тепла в окружающую среду. 3