Напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ. нас.) в транзисторах — это падение напряжения между базой и эмиттером на открытом транзисторе. 12

Это понятие связано с режимом насыщения, в котором оба p-n-перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). 12 В таком режиме транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестаёт зависеть от тока базы. 3