Диффузионная ёмкость p-n-перехода — это ёмкость объёмных зарядов, накопленных в полупроводниках на p-n-переходе и за его пределами. 23

Диффузионная ёмкость обусловлена накоплением в области неосновных для неё носителей (электронов в p-области и дырок в n-области) при прямом смещении. 23

Некоторые особенности диффузионной ёмкости:

• Увеличивается с ростом прямого напряжения. 23
• Во время открытого состояния диода эта ёмкость зашунтирована малым сопротивлением перехода. 1
• При быстром закрытии перехода разряжается через внешние цепи, обуславливая протекание обратного тока при восстановлении обратного сопротивления и ограничивая тем самым быстродействие диода. 1