Чем отличаются фотодиоды с барьером Шоттки от обычных фотодиодов?

Некоторые отличия фотодиодов с барьером Шоттки от обычных фотодиодов:

• Структура: в фотодиодах с барьером Шоттки на полупроводник наносят тонкий слой металла толщиной 10 нм. 5 В обычных фотодиодах используется p+-n-переход. 1
• Принцип работы: при контакте электронного полупроводника с металлом определённое число электронов переходит из полупроводника в металл. 5 В приконтактной области полупроводника возникает потенциальный барьер — барьер Шоттки. 5 Ток через барьер при наложении внешнего электрического поля создаётся почти целиком основными носителями заряда, что обеспечивает высокое быстродействие. 5
• Спектральная область: спектральная область фотодиодов с барьером Шоттки значительно шире в обе стороны, чем у p-n-переходов. 4
• Достоинства: простота создания фоточувствительных структур на разнообразных полупроводниках, технологическая и физическая совместимость с оптическими интегральными схемами, широкий выбор используемых металлов. 1
• Применение: фотодиоды с барьером Шоттки широко используются в сверхвысокочастотных детекторах, транзисторах и фотодиодах. 5