Некоторые отличия фотодиодов с барьером Шоттки от обычных фотодиодов:
Структура: в фотодиодах с барьером Шоттки на полупроводник наносят тонкий слой металла толщиной 10 нм. znanierussia.ru В обычных фотодиодах используется p+-n-переход. edu.study.tusur.ru
Принцип работы: при контакте электронного полупроводника с металлом определённое число электронов переходит из полупроводника в металл. znanierussia.ru В приконтактной области полупроводника возникает потенциальный барьер — барьер Шоттки. znanierussia.ru Ток через барьер при наложении внешнего электрического поля создаётся почти целиком основными носителями заряда, что обеспечивает высокое быстродействие. znanierussia.ru
Спектральная область: спектральная область фотодиодов с барьером Шоттки значительно шире в обе стороны, чем у p-n-переходов. repo.ssau.ru
Достоинства: простота создания фоточувствительных структур на разнообразных полупроводниках, технологическая и физическая совместимость с оптическими интегральными схемами, широкий выбор используемых металлов. edu.study.tusur.ru
Применение: фотодиоды с барьером Шоттки широко используются в сверхвысокочастотных детекторах, транзисторах и фотодиодах. znanierussia.ru
Примеры полезных ответов Поиска с Алисой на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Поиску с Алисой.