Тепловой пробой и электрический пробой в p-n-переходе отличаются причинами возникновения и характером процесса.

Электрический пробой происходит в результате внутренней электростатической эмиссии и под действием ударной ионизации атомов. 1 Под действием сильного электрического поля часть электронов освобождается из ковалентных связей и получает энергию, достаточную для преодоления высокого потенциального барьера p-n перехода. 1 Двигаясь с большой скоростью, электроны сталкиваются с нейтральными атомами и ионизируют их. 1 В результате появляются новые свободные электроны и дырки. 1 Они, в свою очередь, разгоняются полем и создают дополнительные носители тока. 1 Этот процесс носит лавинообразный характер и приводит к значительному увеличению обратного тока через p-n переход. 1

Тепловой пробой возникает в результате перегрева p-n перехода в момент протекания через него тока большого значения и при недостаточном теплоотводе. 2 Тепловой пробой происходит вследствие вырывания валентных электронов из связей в атомах при тепловых колебаниях кристаллической решётки. 1 Тепловая генерация пар «электрон — дырка» приводит к увеличению концентрации неосновных носителей заряда и росту обратного тока. 1 Увеличение тока сопровождается дальнейшим повышением температуры. 1 Процесс нарастает лавинообразно, происходит изменение структуры кристалла, и переход необратимо выходит из строя. 1

Таким образом, электрический пробой обратим, а тепловой пробой — необратимый. 1