Чем отличается режим насыщения от режима отсечки в работе биполярных транзисторов?

Режим насыщения и отсечки в работе биполярных транзисторов отличаются направлением работы переходов. 13

Режим насыщения: оба p-n-перехода открыты, основные носители заряда активно перемещаются из коллектора и эмиттера в базу. 3 В базе возникает избыток носителей заряда, её сопротивление и сопротивление p-n-переходов уменьшается, и между эмиттером и коллектором начинает течь ток. 3 В идеальном случае транзистор в таком режиме эквивалентен замыканию цепи. 3

Режим отсечки: оба p-n-перехода закрыты, ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. 23 Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. 2 Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. 2 Часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи. 2