Чем отличается нитрид галлия от других полупроводниковых материалов?

Некоторые отличия нитрида галлия (GaN) от других полупроводниковых материалов:

• Ширина запрещённой зоны. www.securitylab.ru У GaN она составляет 3,4 электронвольта, что почти в три раза больше, чем у кремния (1,1 электронвольта). www.securitylab.ru Это свойство делает GaN ценным для электроники: приборы на его основе могут работать при напряжениях, в несколько раз превышающих предельные значения для кремния, не рискуя выйти из строя из-за электрического пробоя. www.securitylab.ru
• Подвижность электронов. power-e.ru У GaN этот показатель намного выше, чем у кремния: электроны в кристаллах GaN могут перемещаться на 30% быстрее, чем в Si. power-e.ru Это свойство позволяет использовать GaN в радиочастотных приложениях, поскольку он может работать на более высоких частотах переключения. power-e.ru
• Критическая напряжённость поля. www.rlocman.ru niiet.ru У GaN она составляет порядка 3,0–3,5 МВ/см, что превышает соответствующий параметр кремния на порядок и даже несколько больше, чем у другого перспективного широкозонного материала — карбида кремния (SiC). niiet.ru
• Структура кристалла. www.securitylab.ru У GaN гексагональная (шестиугольная) атомная структура, которая отличается от кубической структуры кремния. www.securitylab.ru В отличие от кубической решётки кремния, где свойства одинаковы во всех направлениях, гексагональная решётка GaN проявляет анизотропию — зависимость физических характеристик от направления в кристалле. www.securitylab.ru