Чем отличается лавинный пробой в стабилитроне от туннельного пробоя?

Лавинный пробой в стабилитроне и туннельный пробой отличаются механизмами возникновения и температурной зависимостью напряжения пробоя. studfile.net

Лавинный пробой развивается, когда поле в полупроводнике (или в приборной структуре) настолько велико, что на длине свободного пробега носители набирают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов вещества. elunn.ru С ростом температуры напряжение пробоя растёт, что связано с падением подвижности носителей тока и необходимостью более высокой напряжённости поля для получения носителями энергии, достаточной для ионизации решётки. studfile.net

Туннельный пробой наблюдается, как правило, в вырожденных полупроводниках. elunn.ru Толщина ОПЗ в них настолько мала (~10 нм), что при высоком значении напряжённости поля в переходе (а значит, при сильном «наклоне» зон) становятся возможными туннельные переходы электронов с занятых состояний в валентной зоне на свободные состояния зоны проводимости. elunn.ru В случае туннельного пробоя с ростом температуры напряжение пробоя падает. studfile.net Причина — уменьшение с ростом температуры ширины запрещённой зоны, что приводит к уменьшению толщины барьера и, в соответствии с выражением для прозрачности барьера, пробою при меньшей напряжённости поля. studfile.net

Преобладание того или иного из упомянутых механизмов зависит от материала полупроводника, конструкции p-n перехода и температуры. elunn.ru