Быстродействие биполярных транзисторов ограничивается инерционностью. 1 Избыточная концентрация неосновных носителей в базе в активном режиме и в режиме насыщения обусловливает её, так как для удаления носителей из базы требуется конечное время. 1

Также быстродействие транзисторов в режиме переключения определяется временем рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе и коллекторе при открытых эмиттерном и коллекторном переходах. 2

Для повышения частотных параметров (быстродействия) толщину базового слоя делают меньше, так как этим определяется время «пролёта» (диффузии) неосновных носителей. 4

Кроме того, время закрывания в большей степени определяется постоянной времени цепи коллектора, которая включает в себя сопротивление нагрузки, сопротивление коллекторной области, ёмкость коллектора и ёмкость нагрузки. 3