В чем преимущества метода Чохральского для выращивания полупроводниковых материалов?

Некоторые преимущества метода Чохральского для выращивания полупроводниковых материалов:

• Высокая чистота и качество кристаллов. pravoteka.ru Это достигается благодаря тщательному контролю параметров процесса. pravoteka.ru
• Возможность контроля параметров. pravoteka.ru Метод позволяет точно контролировать диаметр и кристаллографическую ориентацию выращиваемого кристалла. pravoteka.ru
• Универсальность метода. pravoteka.ru Он применим к различным материалам, таким как кремний, германий, сапфир и даже оксиды для оптических материалов. pravoteka.ru
• Отсутствие прямого контакта между стенками тигля и кристаллом. elib.pnzgu.ru ppt-online.org Это способствует получению ненапряжённых монокристаллов. elib.pnzgu.ru
• Возможность извлечения кристалла из расплава на любом этапе выращивания. elib.pnzgu.ru ppt-online.org Это важно в связи с исследованием условий выращивания. elib.pnzgu.ru
• Возможность изменения геометрической формы кристалла при варьировании температуры расплава и скорости выращивания. elib.pnzgu.ru