Некоторые преимущества метода Чохральского для выращивания полупроводниковых материалов:

• Высокая чистота и качество кристаллов. 1 Это достигается благодаря тщательному контролю параметров процесса. 1
• Возможность контроля параметров. 1 Метод позволяет точно контролировать диаметр и кристаллографическую ориентацию выращиваемого кристалла. 1
• Универсальность метода. 1 Он применим к различным материалам, таким как кремний, германий, сапфир и даже оксиды для оптических материалов. 1
• Отсутствие прямого контакта между стенками тигля и кристаллом. 25 Это способствует получению ненапряжённых монокристаллов. 2
• Возможность извлечения кристалла из расплава на любом этапе выращивания. 25 Это важно в связи с исследованием условий выращивания. 2
• Возможность изменения геометрической формы кристалла при варьировании температуры расплава и скорости выращивания. 2