Механизм работы флеш-памяти включает несколько этапов: запись данных, чтение данных и удаление (стирание). ruscard.org
Запись данных: ruscard.org
- Когда нужно сохранить информацию, контроллер подаёт напряжение на транзистор. ruscard.org
- Электроны проходят через изолятор и попадают на плавающий затвор, изменяя его заряд. ruscard.org
- Это определяет, будет ли ячейка читаться как «0» или «1». ruscard.org
Чтение данных: ruscard.org
- Контроллер измеряет уровень заряда плавающего затвора. ruscard.org
- Если заряд превышает пороговое значение, ячейка считается запрограммированной («0»), если нет — стёртой («1»). ruscard.org
Удаление данных (стирание): ruscard.org
- Контроллер подаёт высокое напряжение в обратном направлении, «вытягивая» электроны с плавающего затвора. ruscard.org
- Стирание возможно только целыми блоками, поэтому флеш-память требует особого алгоритма управления (wear leveling) для равномерного износа. ruscard.org
Суть работы флеш-памяти в том, что сначала нужно избавиться от старых электронов (стереть), и только потом можно применять новые (запрограммировать). www.outsidethebox.ms Это и есть цикл перезаписи. www.outsidethebox.ms