В ранних транзисторах использовалась легированная структура n- и p-типа для улучшения электрических параметров прибора. 3

Легирование n-типа (например, примесями фосфора или мышьяка) увеличивало число свободных электронов в полупроводнике. 24 Это позволяло, в частности, получать высокое усиление по току, так как большая часть несущих, вводимых в переход эмиттер–база, должна была исходить от эмиттера. 2

Легирование p-типа (например, бором) увеличивало количество дырок — положительных носителей тока. 24 Это важно, так как при типичной работе транзистора сторона перехода, легированная p, имела более положительный потенциал, чем сторона, легированная n. 2

Таким образом, использование легированной структуры n- и p-типа позволяло оптимизировать работу транзистора, обеспечивая необходимые характеристики для его функционирования.