Увеличение числа неосновных носителей заряда в полупроводниках происходит при определённых условиях: 12

1. При прямом смещении. 1 Если положительный потенциал приложен к p-области, то потенциальный барьер понижается. 1 В этом случае с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть барьер. 1 Как только эти носители миновали p-n-переход, они становятся неосновными, поэтому концентрация неосновных носителей по обе стороны перехода увеличивается (инжекция неосновных носителей). 1
2. При обратном смещении. 1 Приложение отрицательного потенциала к p-области приводит к повышению потенциального барьера. 1 Диффузия основных носителей через переход становится пренебрежимо малой. 1 В то же время потоки неосновных носителей не изменяются (для них барьера не существует). 1 Неосновные носители заряда втягиваются электрическим полем в p-n-переход и проходят через него в соседнюю область (экстракция неосновных носителей). 1

Также концентрация неосновных носителей является функцией температуры кристалла, поэтому их число увеличивается с повышением температуры. 5