Почему при определенных условиях в полупроводниках увеличивается число неосновных носителей заряда?

Увеличение числа неосновных носителей заряда в полупроводниках происходит при определённых условиях: otvet.mail.ru lib.kgeu.ru

1. При прямом смещении. otvet.mail.ru Если положительный потенциал приложен к p-области, то потенциальный барьер понижается. otvet.mail.ru В этом случае с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть барьер. otvet.mail.ru Как только эти носители миновали p-n-переход, они становятся неосновными, поэтому концентрация неосновных носителей по обе стороны перехода увеличивается (инжекция неосновных носителей). otvet.mail.ru
2. При обратном смещении. otvet.mail.ru Приложение отрицательного потенциала к p-области приводит к повышению потенциального барьера. otvet.mail.ru Диффузия основных носителей через переход становится пренебрежимо малой. otvet.mail.ru В то же время потоки неосновных носителей не изменяются (для них барьера не существует). otvet.mail.ru Неосновные носители заряда втягиваются электрическим полем в p-n-переход и проходят через него в соседнюю область (экстракция неосновных носителей). otvet.mail.ru

Также концентрация неосновных носителей является функцией температуры кристалла, поэтому их число увеличивается с повышением температуры. portal.tpu.ru