Некоторые методы добычи арсенида галлия (GaAs):

• Метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава слоем борного ангидрида. 3 Используется в основном для получения нелегированного GaAs. 3
• Метод горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) в вариантах «по Бриджмену» или «кристаллизации в движущемся градиенте температуры». 35 Применяется для получения кристаллов п-типа проводимости, легированных Si. 3
• Метод вертикальной направленной кристаллизации в тех же двух вариантах. 35 Используется для получения как легированных донорными примесями кристаллов, так и для получения нелегированного арсенида галлия. 3
• Пропускание арсина (мышьяковистого водорода) над окисью галлия при температуре 850–900°. 4 Способ основан на реакции восстановления окиси галлия арсином. 4
• Молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE) галлия и мышьяка. 1