Метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава слоем борного ангидрида. rep.bntu.by Используется в основном для получения нелегированного GaAs. rep.bntu.by
Метод горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) в вариантах «по Бриджмену» или «кристаллизации в движущемся градиенте температуры». rep.bntu.by www.electronics.ru Применяется для получения кристаллов п-типа проводимости, легированных Si. rep.bntu.by
Метод вертикальной направленной кристаллизации в тех же двух вариантах. rep.bntu.by www.electronics.ru Используется для получения как легированных донорными примесями кристаллов, так и для получения нелегированного арсенида галлия. rep.bntu.by
Пропускание арсина (мышьяковистого водорода) над окисью галлия при температуре 850–900°. yandex.ru Способ основан на реакции восстановления окиси галлия арсином. yandex.ru
Примеры полезных ответов Поиска с Алисой на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Поиску с Алисой.