При включении полупроводникового диода в обратном направлении дрейфовый ток не изменится, так как для неосновных носителей поле в p-n-переходе остаётся ускоряющим. 1

Однако диффузионный ток будет максимально уменьшен, так как под действием электрического поля свободные электроны и дырки будут удаляться от границы слоёв. 2 В результате через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном током дрейфа неосновных носителей. 1 В таком случае протекающий ток называют обратным, его величина очень мала по сравнению с прямым током. 2

Поскольку количество дрейфующих неосновных носителей не зависит от приложенного напряжения (оно влияет только на их скорость), то при увеличении обратного напряжения ток через переход стремится к предельному значению, которое называется током насыщения. 1