Дефекты кристаллической структуры полупроводников влияют на их свойства следующим образом:

• Изменение электропроводности. 1 Вакансии и междоузельные атомы образуют систему энергетических уровней в запрещённой зоне. 1 Эти уровни могут служить источниками свободных электронов и дырок, а также центрами рекомбинации и рассеяния, что приводит к изменению электропроводности материала, уменьшает время жизни носителей заряда, сказывается на фотопроводимости и других характеристиках. 1
• Влияние на процессы диффузии и массопереноса. 1 Точечные дефекты (в первую очередь вакансии) увеличивают коэффициент диффузии легирующих примесей. 1
• Изменение электрических свойств. 1 Это связано с наличием вдоль оси дислокации ряда непарных валентных связей, которые влияют как на концентрацию, так и на рассеяние электронов проводимости. 1
• Влияние на работу приборов. 2 Дислокации с преципитатами электрически активных примесей могут образовывать высокопроводящие каналы, приводящие к деградации или ухудшению свойств мелкозалегающих переходов. 1