Туннельный пробой p-n-перехода — это вид электрического пробоя, при котором электроны из валентной зоны p-области туннелируют через потенциальный барьер p-n-перехода на незанятые уровни в зоне проводимости n-области. 1

В основе туннельного пробоя лежит туннельный эффект — переход электронов сквозь потенциальный барьер без изменения энергии. 2 Он возможен при очень малой толщине потенциального барьера (порядка 10 нм) и достаточно высокой напряжённости электрического поля p-n-перехода. 2

Туннельный пробой наблюдается в узких p-n-переходах с высокой напряжённостью электрического поля (порядка 105В/см). 5